국내연구진, 차세대 자기메모리 오동작 해결 _임신한 암컷 베타 피쉬_krvip

국내 연구진이 차세대 메모리에서 발생하는 오동작의 원리를 규명하고 이를 방지할 수 있다는 사실을 처음으로 알아냈습니다. 고려대 신소재공학과 이경진 교수팀은 양자 효과를 이용해 자기메모리 기록 특성을 제어하는 데 성공했다고 밝혔습니다. 연구팀은 작은 자석에 흐르는 전류를 이용해 정보를 기록하는 '스핀토크 자기메모리'에서 전자가 갖고 있는 방향을 조절해 오동작이 생기지 않도록 방지할 수 있었다고 설명했습니다. 이번 연구결과는 영국의 과학저널 '네이처 피직스'에 오늘 게재됐습니다.