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양성자빔을 이용해 나노소자 논리회로를 제작하는 기술이 국내 연구진에 의해 세계 최초로 개발됐습니다. 광주과학기술원(GIST) 이탁희 교수팀은 오늘 양성자빔으로 나노 소자의 구동전압을 선택적으로 제어해 '하이브리드형 상보성 나노소자 논리회로'를 개발하는데 성공했다고 밝혔습니다. 이에따라 기존의 나노급 반도체 회로보다 획기적으로 축소된 반도체 나노소자를 생산할 수 있는 길이 열리게 됐습니다. 이 연구성과는 오는 5일 미국의 재료공학전문지인 '어드밴스드 머티리얼스'에 표지논문으로 게재됩니다.